ما كتبته في المنتديات

بسم الله
نحتفظ بحقنانورثه أبنائناولكننا

هذه بعض الرسومات عن عملية الإرسال والاستقبال التلفزيونيهنا اشارة مرسلة على القناة CH05 كمثال لعملية الإرسال[IMG][/IMG]وهذه الصورة لعملية الإستقبال في مرحلة التردد المتوسط[IMG][/IMG]أما هذه الصورة فهي عند اضافة النظام NICAM [IMG][/IMG]اعداد اسامة مطر
قال الله تعالى : {مَا يَلْفِظُ مِن قَوْلٍ إِلَّا لَدَيْهِ رَقِيبٌ عَتِيدٌ} سورة ق الآية 18



#2
07-04-2008, 11:04 AM


تاريخ التسجيل: Apr 2005
نظرة حول أنظمة الصوت في التلفزيون
بسم الله الرحمن الرحيم
السلام عليكم ورحمة الله وبركاتههذه نظرة حول أنظمة الصوت في التلفزيونقبل الحديث عن الصوت هنالك بعض المفاهيم أود إعادة التذكير بهافعند القول carrier فهذا يعني الموجة الحاملة في وضع الإرسالوعند القول intercarrier فهذا يعني الموجة الحاملة ولكنها في خلال التردد المتوسط IF في المستقبلوعند القول subcarrier فهذه حاملة فرعية كما في نظام اللون PALنعلم أن لدينا في التلفزيون الباتدات BAND الثلاث التالية: VHF L & VHF H & UHF وكما في الراديو تدل هذه المسميات على المدى الترددي الذي تعمل في مجاله وعندما طالت التسميات USHF تم تغيير نظم التسمية وأصبحت بالحروف الهجائية A.B.C… ومن أمثلتها C.BAND & KU.BAND وللصوت نصيب في ذلك.. فنظام الصوت N يعني أنه النظام الصوتي المستخدم في نظام مسح رأسي 25 إطار وأفقي 625 خط وفي الباندات الثلاث وحاملة الصوت الداخلية inter carrier (في التردد المتوسط) بقيمه 4.5MHz وكشف سالب للصورة وهذا كشف بهذه الأحرف وأنظمتها ( قد لا يظهر الكشف مرتباً فاعتمد الترتيب السابق)Code Frames Scan Freq Sound Vision In Use Lines Band Offset Modulation Terrestrial Transmission Standards A 25 405 VHF -3.5MHz Pos No B 25 625 VHF +5.5MHz Neg Yes C 25 625 VHF +5.5MHz Pos Yes D 25 625 VHF +6.5MHz Neg Yes E 25 819 VHF +11MHz Neg No F 25 819 VHF +5.5MHz Pos No G 25 625 UHF +5.5MHz Neg Yes H 25 625 UHF +5.5MHz Neg Yes I 25 625 UHF +6.0MHz Neg Yes K 25 625 UHF +6.5MHz Neg Yes KI 25 625 UHF +6.5MHz Neg Yes L 25 625 UHF +6.5MHz Pos Yes M 30 (29.97) 525 VHF/UHF +4.5MHz Neg Yes N 25 625 VHF/UHF +4.5MHz Neg Yes Satellite Transmission Standards Ku-Band Any Any ~11GHz +6.50MHz Neg Yes C-Band Any Any ~4GHz +6.50MHz Pos Yes وجميع هذه الأنظمة كما هو معلوم تبث تردداتها للصوت بتعديل التردد والصورة بتعديل الاتساع عدا C&KU BAND . حيث تعديل الإرسال للقمر الصناعي تردديومنذ أن تمت عملية الإرسال والاستقبال التلفزيوني والتطوير مستمر فللألوان قصص كثيرة وللصوت قصصه حتى نظام الإرسال برمته قد تحول للنظام الرقمي وكان من المفترض أنه وفي العام 2006 أن يتحول البث التلفزيوني كله للنظام الرقمي حيث بدأت تجاربه في العام 1998 ولكن انتشار مستقبلات الأقمار الصناعية الرقمية ورخص ثمنها أثر كثيراً على هذا المشروع ولم نعد نسمع به فمهما كان الإرسال الرقمي واضحاً فهنالك ميزة جيدة في الإرسال المرئي التماثلي فعند ضعف الإشارة المستقبلة لا يوجد تقطيع بالإضافة إلى الاستجابة العالية لتغير المناظر كما في مباريات كرة القدم وأفلام الحركة السريعة ودقة الصورة ووضوح الألوان أكثر من حساسية العين وعليه ما علينا سوى وضوح الصوت حيث يجب أن يشعر المستقبل أنه داخل المسرح فكان نظام MTS الذي يعمل مع نظام NTSC/525 وكذلك ظهر النظام FM-FM وهذه الأنظمة مخصصة للإرسال والإستقبال الذي يعتمد قناتين للصوت أو قناة مضافة للمكفوفين ولا توجد لدينا أجهزة تعتمد هذه الأنظمة وأنوه أن نظم إختيار الصوت بين استيريو وعادي يكون يدوياً وليس آلياً في النظامين الأمريكيين السابقينوقد بدأت BBC مشروعها في بداية الثمانينات ثم نجحت في العام1988 بتطوير نظام نيكام للصوت الرقمي والذي يعمل مع البال PAL625 Near Instantaneously Companded Audio Multiplex والذي يقال أنه يحاكي الإستوديو في أمانته ويرسل على شكل حزم بيانات متتالية و يرسل على حاملة فرعية subcarrier مجاورة لحاملة الصوت الأساسية قريباً من القناة التالية على التردد 5.85MHz لنظام B/G أو التردد 6.552MHz للنظام I .... وانتشر النظام فيما بعد لباقي العالم فمثلاً مع نظام B/G المنتشر في معظم أرجاء القارة الأوروبية وكذلك مع نظام D/K المنتشر شرقي أوروبا ونظام L المنتشر في فرنسا وكذلك يمكنه العمل مع نظام M و N/ 525 خط المنتشرة في أمريكا وكندا واليابان.الأنظمة السابقة هي إشارات أو ترددات حاملة ليس بها أي نوع من نبضات التعريف وبالتالي يكون من المعقد جداً التمييز بينها ولكني لا اعتقده مستحيلاً لوجود ارتباط ما مع نظام اللون والتقدم مازال مستمراًأما في خواص النظام NICAM نفسه فهو يستقبل بأربعة خيارات آلية حسب المرسل 1- قناة واحدة مجسمة digital stereo2- قناتين صوت عادي digital mono3- قناة صوت عادية وآخري للمعلومات 352Kbit/sec data channel4- أو قناة معلومات واحدة One 704Kbit/sec data channel. لم أدخل في صميم النظام معتبراً ذلك من تخصص ذوي الخبرة في الحاسوب.أرجو أن أكون قد أوضحت شي ذا قيمة أعد هذه المادة أخيكم أسامة مطر


بسم الله الرحمن الرحيمنظرة حول الذاكرة غير المتطايرة
A Nonvolatile Memory Overview[b][center]مقدمةيمكن تقسيم الذاكرة إلى متطايرة Volatile وغير متطايرة Nonvolatile ، حيث المتطايرة تفقد المعلومات المخزنة عليها بمجرد إطفاء النظام وبالتالي تحتاج لقدرة كهربية دائمة كي تستطيع الحفاظ على المعلومات. معظم أنواع الذاكرة RAM تقع ضمن هذا التصنيف. بينما الغير متطايرة لا تفقد معلوماتها بقطع الكهرباء عنها. إن الذاكرة غير المتطايرة (NVM) هي عبارة عن ترانزيستور من نوع MOS حيث أنها تحتوي على منبع Source ومصرف Drain وبوابة تحكم Control Gate ولكنها تختلف عن الـ MOSFET القياسية بوجود بوابة عائمة Floating Gate معزولة كهربياً.في وحدة الذاكرة ذات البوابة العائمة يتم تخزين الشحنة أو البيانات في البوابة العائمة حيث تبقى حتى بعد فصل القدرة الكهربية لاحظ الشكل (1). 1 شكل (1) تركيب خلية NVMميكانيزم البرمجة الأساسي:يجب حقن الشحنة في البوابة العائمة من أجل برمجة الخلية وهذا يتم بإحدى طريقتين:الطريقة الأولى Fowler-Nordheim (FN) Tunneling أو العبور النفقي لـ FN حيث يتم تطبيق جهد عالي Vcg على بوابة التحكم أثناء البرمجة هذا الجهد يؤدي لنشوء مجال كهربائي يعمل على صنع نفق لعبور الإلكترونات من P substrate إلى البوابة العائمة عبر بوابة الأكسيد Gate Oxide الرقيقة جداً (أقل من 120 أنجستروم) كما هو موضح بالشكل (2). لاحظ أن هذه الطريقة تتطلب صنع الترانزيستور بحيث تكون بوابة الأكسيد طبقة رقيقة جداً. 2 شكل (2) العبور النفقي لبرمجة الإييبرومالطريقة الثانية Channel Hot-Electron injection (CHE) حقن الإلكترون الساخن بقناةهنا يتم شحن البوابة العائمة بحقن إلكترونات ساخنة في المنطقة الضيقة بجانب المصرف حيث حصلت هذه الإلكترونات على طاقتها من الجهد المطبق على المصرف Vd حيث يساعدها المجال الكهربي Elat الناشئ عن فرق الجهد بين المنبع والمصرف ولكنها لن تصل للبوابة العائمة قبل أن تمتلك طاقة كافة لعبور الحواجز حيث يسحبها الجهد المطبق على بوابة التحكم Vcg حتى تصل للبوابة العائمة. لاحظ أن هذا الأسلوب يتطلب صناعة القاعدة للترانزيستور بحيث تكون n substrate على p substrate. 3 شكل (3) حقن الإلكترون الساخن بقناة لبرمجة الإييبرومميكانيزم المسحقبل برمجة NVM يجب أن نقوم بمسحها حيث أن الإلكترونات تكون مثبتة على البوابة العائمة بسبب ارتفاع حاجز الطاقة بين البوابة وطبقة الأكسيد (3.2 eV) وللتغلب على هذا الحاجز يمكن أن نقوم إما بتسليط أشعة فوق بنفسجية UV تعطي الإلكترونات طاقة كافية للتغلب على حاجز الطاقة والهرب لبوابة التحكم أو القاعدة substrate حيث تستغرق العملية حوالي 10 دقائق وهذه الطريقة هي المتبعة مع الإيبروم 4 شكل (4) المسح بواسطة الأشعة فوق البنفسجيةأما الطريقة الثانية فتتطلب تطبيق جهد سالب كبير على بوابة التحكم يصنع مجال كهربائي الذي دوره يشكل حاجز جهد يعمل كنفق لعبور الإلكترونات من البوابة العائمة للقاعدة substrate عبر طبقة الأكسيد 5 شكل (5) المسح الإلكتروني FN Tunnelingوهنا يمكن القيام بذلك بطريقتين الأولى تسمى "العبور المنتظم" وتتطلب تطبيق جهد كبير سالب على بوابة التحكم ويعاب على هذه الطريقة بطء العملية أما الثانية فتسمى "العبور بجانب المصرف" وفيها نطبق جهد سالب على بوابة التحكم وجهد موجب على المصرف ويعاب على هذه الطريقة عبور كمية كبيرة من الإلكترونات من منطقة صغيرة مما قد يؤدي مع الوقت لتلف طبقة الأكسيد (لاحظ الأشكال للمقارنة).6 شكل (6) المسح الإلكتروني بطريقة "العبور المنتظم" 7 شكل (7) المسح الإلكتروني بطريقة "العبور بجانب المصرف "تشكيل الذاكرةيمكن تشكيل ذاكرة NVM على هيئة مصفوفة كما في الشكل حيث يتم ربط الأعمدة مع المصرف لكل خلية ذاكرة (col 1, col 2 and col 3) فيما يمثل خط البت "bitline" وهو يستخدم لاختيار أو عدم اختيار خلية الذاكرة من أجل المسح أو البرمجة، تتألف المصفوفة أيضاً من صفوف تتصل مع بوابة التحكم لكل خلية ذاكرة (row 0 and row 1) فيما يمثل خط الكلمة "word line" وهو يستخدم أيضاً لاختيار أو عدم اختيار خلية الذاكرة من أجل المسح أو البرمجة.8 شكل (8) مصفوفة الذاكرة NORعملية القراءةأثناء قراءة بايت أو كلمة من البيانات يتم إيصال "خط الكلمة" المعنون للمستوى المنطقي 1 (أي أعلى من جهد العتبة للخلية الممسوحة) هذه الحالة تؤدي لتشغيل الخلايا الممسوحة مما يسمح بتدفق التيار من المصرف للمنبع بينما تظل الخلايا المبرمجة في وضع الإطفاء مع تيار ضعيف ينساب من المصرف للمنبع. يتم استشعار هذا التيار وتكبيره حتى يصل للمستوى المنطقي، باقي "خطوط الكلمة" الأخرى تبقى منخفضة خلال هذه العملية. ولأنه نحتاج فقط للتحكم بخط كلمة واحد كل مرة أثناء القراءة فإنه يمكن القراءة بأسلوب الوصول العشوائي.عملية الكتابةأيضا هنا يمكن الكتابة بالوصول العشوائي حيث أن خط الكلمة المعنون يرفع لجهد 12 فولت ويطبق 6 فولت على خط البت (المصرف) بينما نبقي المصدر على جهد صفر أما باقي خطوط الكلمة فتبقى منخفضة.عملية المسحتتم عملية المسح بالكتلة دفعة واحدة. المنبع في كل خلية متصل مع المنبع لباقي الخلايا ضمن الكتلة الواحدة. أثناء المسح يبقى خط البت مفتوح وكل خطوط الكلمة تكون عند صفر فولت بينما المنبع يرفع لجهد 12 فولت مما يؤدي لمسح جميع الخلايا ضمن الكتلة بينما تبقى الكتل الأخرى بعيدة عن التأثير.تشكيل إييبروم EEPROMتستعمل إييبروم عند الحاجة لبقاء الذاكرة بعد إطفاء الجهاز حيث تستطيع الاحتفاظ بالبيانات لفترة تصل لعشر سنوات ويمكن تغيير محتوياتها مليون مرة ويمكن القراءة منها بعدد لا ينتهي من المرات ويمكن توضيح تركيبها الداخلي كما في الشكل التالي 9 شكل (9) التركيب الداخلي لوحدة إييبروم تجارية من إنتاج شركة FAIRCHILDوهنا تجدر الإشارة إلى أن الشركات المختلفة قد تتبع تصاميم مختلفة داخلياً إلا أنها ستعمل بنفس الطريقة وهذا ما يقودنا إلى الموضوع التالي وهو كيفية التعامل مع وحدة إييبروم ضمن الدوائر الكهربية فيما يعرف بناقل IIC Bus. 10 جدول (1) بعض المصطلحات المستخدمة في البحثنظرة حول الناقل II C BUS و الإييبرومما هو الناقل IIC BUS (Inter IC Bus)إن II C BUS تسمح بتزامن اتصال باتجاهين بين مرسل ومستقبل باستخدام إشارة تردد الزمن (SCL) وكذلك إشارة البيانات التتابعية (SDA) يضاف لذلك وجود ثلاث إشارات عنونة (A0 , A1 , A2) والتي تعمل معاً كإشارة اختيار الجهاز أو الوحدة في الإييبروم.جميع الاتصالات في IIC BUS يجب أن تبدأ بشرط بداية صالح بواسطة الحاكم (مجازاً) يتبعها إرسال بواسطة الحاكم يتكون من بايت أو أكثر من المعلومات (عنوان/بيانات). لكل بايت من المعلومات المتلقاة في المستقبل المعنون يجب أن يصدر نبضة عُلم (ACK) صالحة لكي يستمر الاتصال إلا إذا أراد المستقبل عدم استمرار الاتصال.اعتماداً على اتجاه النقل (قراءة / كتابة) فإن المستقبل يمكن أن يكون محكوم (مجازاً) أو حاكم. ولكي يكتمل الاتصال بشكل سليم يجب أن يختم بعبارة (قف) من الحاكم.إن عنونة مكان ذاكرة في إييبروم يتطلب إرسال عبارة أمر تحتوي المعلومات التالية:[device type]-[device/page block selection]-[R/W bit]-{acknowledge pulse}-[array address]عنوان المحكوم عنوان المحكوم هو عبارة عن معلومة 8 بت تتكون من حقل يحدد نوع الجهاز (4 بت) وحقل اختيار كتلة صفحة الجهاز (3 بت) وبت واحد للقراءة أو الكتابة. 11 شكل (10) تنسيق عنوان المحكوميتبع يتبع يتبع
قال الله تعالى : {مَا يَلْفِظُ مِن قَوْلٍ إِلَّا لَدَيْهِ رَقِيبٌ عَتِيدٌ} سورة ق الآية 18


08-04-2008, 09:16 AM

تاريخ التسجيل: Apr 2005
تتمة موضوع الذاكرة
نوع الجهازإن IIC BUS مصمم لدعم أجهزة مختلفة مثل الرام والايبروم الاييبروم ...الخ وبالتالي لتعريف الأجهزة بشكل سليم فإنه تستخدم جملة مُعرف (نوع الجهاز).للرام فإن جملة مكونة من 4 بت هي (0-0-1-0) تعتبر معرف الجهاز أما للإييبروم فإن جملة مكونة من 4 بت هي (1-0-1-0) تعتبر معرف نوع الجهاز.أي كل جهاز له جملة خاصة ولذلك إن تواجد أكثر من جهاز على نفس الناقل BUS فإن كل جهاز يقارن الجملة مع جملته الداخلية الخاصة للتأكد من صحة اختيار الجهاز.اختيار كتلة صفحة الجهاز .عند تواجد عدة أجهزة من نفس النوع على ناقل IIC BUS (عدة إييبرومات) فإن عنوان A2, A1, A0 تستعمل كجزء من عنوان المحكوم حيث كل جهاز على الناقل يقارن داخلياً جمله الثلاث هذه مع ترتيب الأطراف (A2, A1, A0) الخاص به لكي يتأكد من اختيار الجهاز بشكل سليم. هذه المقارنة بالإضافة لمقارنة "نوع الجهاز" بالإضافة لاختيار الاييبروم فإن البيتات الثلاثة هذه تستعمل أيضاً لاختيار "كتلة صفحة" من داخل الاييبروم. كل كتلة صفحة هي عبارة عن حجم 2 كيلوبت (256بايت) اعتماداً مع كثافته فإن الاييبروم قد يحتوي على 1 إلى ما أقصاه 8 كتلة صفحة بمجموعات زوجية ويتم اختيار كتلة الصفحة في الجهاز باستخدام بتات A2, A1, A0 .بت R/Wآخر بت في عنوان المحكوم يشير إلى نوع الوصول هو للقراءة أم للكتابة إذا كان البت "1" فالوصول هو للقراءة بينما "0" تستعمل للكتابة.إشارة عُلم ACK عُلم هي نبضة فعالة منخفضة على خط SDA يتم إيصالها من مستقبل معنون لمرسل معنون وهي تدل على استقبال بيانات مكونة من 8 بت. المستقبل يعطي نبضة ACK بعد كل 8بت من البيانات. ميكانيزم التصافح يتم كالتالي:بعد استقبال 8بت من المعلومات يقوم المرسل بإفلات خط SDA وينتظر نبضة ACK.المستقبل المعنون إن كان موجوداً يوصل نبضة ACK على خط SDA خلال الزمن التاسع فيعيد إفلات خط SDA للمرسل.عنوان المصفوفة Array address.عنوان المصفوفة هو عبارة معلومة 8 بت تحتوي عنوان مكان الذاكرة الذي يجب اختياره ضمن كتلة الصفحة المنتقاة من الجهازاقتصار العنونة على 16 كيلوبت إن تحديد IIC القياسي يحدد حجم الذاكرة والاييبروم على الناقل بـ 16كيلوبت هذا التحديد يرجع لبروتوكول العنونة المستعمل والذي يحتوي على عنوان محكوم من 8بتات وعنوان المصفوفة مكون من 8 بت.عنوان الصفحة يختار واحد من 256 موقع (28=256) ونظراً لأن تنسيق البيانات في تخصيص IIC يعتمد نظام 8بت فإن ما مجموعه 8 X 256 =2048 بت = 2كيلوبت يمكن عنونته بعنوان المصفوفة 8 بت. يشار لهذا الـ 2كيلوبت ب"كتلة صفحة" وعند جمع هذه العنونة ذات الثمان بتات مع عنوان كتلة الصفحة أي الثلاث بتات فيمكن تعريف ما أقصاه 8 صفحات (23=8) من الذاكرة. ونظراً لأن كل صفحة تسع ل 2كيلوبت فإن حجم الذاكرة الأقصى الذي يمكن عنونته = 8X2 =16 كيلوبت في تخصيص ناقل IIC القياسي هذه الـ16 كيلوبت يمكن أن تكون على صورة جهاز إييبروم منفرد أو مجموعة.من أجل عنونة أكثر من 16 KB في ناقل IIC يعتمد نظام آخر يسمى تخصيص ناقل IIC الممتد (EXTENDED IIC BUS SPSCIFICATION) .نظرة حول IIC الممتدتخصيص IIC الممتد هو عبارة عن امتداد لتخصيص IIC القياسي بحيث يسمح بعنونة إييبرومات بأكثر من 16 KB ذاكرة على نفس الناقل IIC وذلك بتعريف بايتين لعنوان المصفوفة وبالتالي يمكن عنونة 4ميجابت من الذاكرة (28.28.23)=(4 Mbits) .[device type]-[device/page block selection]-[R/W bit]-{acknowledge pulse}-[array address 1] [array address 0]ملاحظة هامة:/ في سياق هذا البحث سنتعامل مع الإييبروم على أنها محددة بـ 16 كيلوبت أي ما يختص بالناقل IIC القياسي حيث لا يوجد هناك فرق كبير بينهما يسترعي التخصيص لـ IIC الممتد خلال الشرح.تعريف الأطرافطرف SCL (المزامن المتسلسل)يستخدم دخل SCL كي يوفر بعد الزمن للبيانات الداخلة والخارجة من الجهازطرف SDA(البيانات المسلسلة)هو عبارة عن طرف ثنائي الاتجاه يستعمل لنقل البيانات من وإلى الجهازطرف WP الحماية ضد الكتابةعند وصله مع Vcc فلن يتم تنفيذ عمليات البرمجة في النصف الأعلى من الذاكرة بينما تظل عمليات القراءة ممكنة . وعند وصله مع Vss يعود للحالة الطبيعية أي قراءة وكتابة من كل الجهاز.مدخلات اختيار الجهاز A0 A1 A2 .هذه المدخلات معاً تعمل كإشارة اختيار للاييبروم عند تواجد أكثر من واحدة على نفس الناقل وكل طرف يربط مع Vss أو Vcc مما يسمح باختيار واحدة من الإييبرومات بشكل صحيح ومنفرد كل إييبروم على الناقل تقارن تركيبها مع خيار كتلة صفحة الجهاز على الناقل ضمن عنوان المحكوم لتحديد الخيار الصالح فمثلاً إذا كان هذا الخيار هو (1-0-1) فإن الإييبروم التي يرتبط أطرافها (A2, A1, A0) مع (Vcc, Vss, Vcc) سيتم اختياره0اعتماداً على حجم الذاكرة، فقط هناك عدد محدد من "مدخلات اختيار الجهاز" يمكن توفيرها في إييبروم لذلك فإنه لكل "مدخل اختيار جهاز" غير متوفر فإن البت في حقل "خيار كتلة صفحة الجهاز" سيستخدم من أجل اختيار كتلة الصفحة من داخل الجهاز بدلاً من الجهاز نفسه.شكل (11) علاقة حجم الذاكرة مع "مدخلات اختيار الجهاز"يلاحظ هنا أنه حتى مع وجود جهاز إييبروم واحد على الناقل فيجب وصل هذه الأطراف مع Vcc أو Vss لضمان إغلاق الاتصال.عمليات الكتابة والقراءة في EEPROMعمليات الكتابةكتابة بايتمن أجل الكتابة نحتاج لحقل عنوان ثاني والذي هو عبارة عن عنوان كلمة يتكون من 8 بت يوفر وصول لأي بايت من الـ 256 بايت داخل الصفحة المختارة من إييبروم. عند وصول بايت العنوان فإن الإييبروم تستجيب بـ "عُلم" ACK وتنتظر لاستقبال ثمان بتات من المعلومات وترد بـ "عُلم" عندها فإن "الحاكم" ينهي عملية النقل بتوليد إشارة "قف" STOP عندها ستبدأ الإييبروم دورة الكتابة الداخلية لذاكرتها الثابتة. أثناء عملية الكتابة الداخلية لا تستقبل إييبروم أي مدخلات أو طلبات من خارجها12 شكل (12) كتابة كلمةكتابة صفحةمن أجل تقليل زمن دورة الكتابة يمكن استعمال أسلوب كتابة صفحة والذي يتيح كتابة 16 بايت بشكل متجاور دفعة واحدة. لأجل ذلك تصنع الشركات مصفوفة الذاكرة على هيئة صفحات، حيث تتكون الصفحة من 16 موقع بايت متجاورة تبدأ عند حدود عنوان كل 16 بايت. عملية كتابة صفحة يمكن البدء بها تماماً كعملية كتابة بايت ولكن هنا بدل إنهاء الدورة بعد إرسال أول بايت من المعلومات يستمر الحاكم بإرسال ما أقصاه 15 بايت أخرى. بعد استقبال كل بايت يجيب الإييبروم بإشارة "عُلم" مع الزيادة بواحد على عداد العنونة الداخلي للانتقال للعنوان التالي وبالتالي الجاهزية لاستقبال بايت البيانات التالي. إذا استمر الحاكم بإرسال أكثر من 16 بايت قبل إرسال إشارة "قف" فإن العداد الداخلي يعيد الكتابة لفوق أول بايت ويستمر منه هناك حتى وصول إشارة "قف". عندها تتوقف إييبروم عن الاستقبال حتى تنتهي دورة الكتابة الداخلية.13 شكل (13) كتابة صفحةإحراز "عُلم "بعد أن يرسل الحاكم إشارة "قف" دلالة على إنهائه دورة الكتابة تبدأ الإييبروم دورتها الداخلية للكتابة. يمكن إحراز إشارة "عُلم" مباشرة. هذا يتضمن إصدار إشارة "بدأ" يليها عنوان المحكوم لعملية الكتابة. إذا كانت الإييبروم لا تزال مشغولة بالكتابة فهي لن ترجع إشارة "عُلم". لكن إذا كانت قد انتهت من الكتابة فسترسل إشارة "عُلم" وسيقوم الحاكم المضيف لها بمواصلة عملية القراءة أو الكتابة التالية.الحماية ضد الكتابةيتوفر في بعض المنتجات التجارية خاصية منع الكتابة في النصف الأعلى من الإييبروم عندما يوصل طرف WP فيها مع Vcc . ستجيب الإييبروم على عنوان المحكوم والبايت المرسلين، ولكن إذا كان عنوان الذاكرة المطلوب محمي بطرف WP ، فإن الإييبروم لن تولد إشارة "عُلم" بعد استقبال بايت البيانات الأول ولن تبدأ دورتها للكتابة عند وصول إشارة "قف".عمليات القراءةيتم تنفيذ عمليات القراءة بطريقة مشابهة لتلك المتبعة للكتابة مع الاستثناء بأن بت R/W من عنوان المحكوم يأخذ قيمة1. هنالك ثلاث طرق قراءة وهي قراءة العنوان الحالي والقراءة العشوائية والقراءة المتتابعة.القراءة من العنوان الحاليتحتوي الإييبروم على عداد داخلي يتذكر آخر عنوان بايت تم الوصول إليه يضاف عليه 1. وبالتالي، إذا كانت آخر عملية وصول للقراءة أو للكتابة عند عنوان (ن) فإن عملية القراءة التالية ستكون من العنوان (ن+1). عند استقبال عنوان المحكوم ومعه بت R/W موضوع على 1، فإن الإييبروم ترسل "علم" متبوعة ببايت من ثمان بتات. الحاكم لن يرسل "علم" ولكنه سيولد "قف" وبالتالي ستتوقف الإييبروم عن الإرسال.14 شكل (14) القراءة من العنوان الحاليالقراءة العشوائيةوفيها يمكن الوصول لأي مكان في الذاكرة مباشرة. قبل إرسال عنوان المحكوم بأمر القراءة (بت R/W == 1)، يقوم الحاكم بتنفيذ عملية كتابة وهمية. حيث يقوم الحاكم بإرسال إشارة "بدأ" START يليها عنوان المحكوم مع بت R/W == صفر وبعدها عنوان البايت المراد قراءته. بعد وصول "علم" يقوم الحاكم حالاً بإرسال إشارة "بدأ" بعدها عنوان المحكوم مع بت R/W == 1 . هذا طبعاً يجب أن يتبع بإشارة "علم" من الإييبروم يليها بايت من ثمان بتات. الحاكم لن يرسل "علم" ولكنه سيولد "قف" وبالتالي ستتوقف الإييبروم عن الإرسال. 15 شكل (15) القراءة العشوائيةالقراءة المتتابعة يمكن البدء بها كعملية قراءة حالية أو عشوائية. أول كلمة ترسل بالطريقة سالفة الذكر ولكن الحاكم سيرد "علم" كرغبة في المزيد وبالتالي يواصل الإييبروم إرسال البيانات بعد كل "علم" يتلقاها حيث يمكن فقط للحاكم إنها العملية بإرسال "قف".المعلومات الخارجة هي متتالية من بيانات العنوان (ن) يليها بيانات العنوان (ن+1). حيث يقوم عداد العنوان بزيادة 1 كل مرة مما يمكن من قراءة كل محتويات الذاكرة بشكل متسلسل بعملية واحدة. بعد قراءة كل الذاكرة سيدور العداد للبداية وستواصل الإييبروم إخراج البيانات لكل إشارة "علم" تتلقاها. 16 شكل (16) القراءة المتتابعةما هي الذاكرة الفلاش؟What is Flash Memory? تتميز الفلاش عن باقي أنواع الذاكرة بأنها رخيصة، عالية السعة، عالية السرعة، قليلة الاستهلاك للطاقة وعالية الثقة. تتشابه الفلاش مع الإييروم ولكنها أرق كما أن بعض الشركات مثل إنتل طورت تقنية تمكنها من استغلال الخلية الواحدة من الذاكرة لتخزين 2 بت كتطوير للنظام العادي الذي يستغل كل خلية لتخزين بت واحد ( 1= ممسوح، 0 = مبرمج) أما النظام المطور ويدعى بنية "الخلية متعددة المستويات" فيعتمد الدقة المتناهية كي يستطيع تخزين 2 بت في كل خلية. حيث أن برمجة الخلية (وضع الشحنة) أو قراءتها (الاستشعار)، يتم التحكم به بدقة عالية لتحديد حالات أربع (00=مبرمج، 01=مبرمج، 10=مبرمج، 11=ممسوح) ضمن الترانزيستور.تتوافر وحدات الذاكرة مهندسة على هيئة مصفوفة كتل من خلايا الذاكرة فمثلاً وحدة ذاكرة تتكون من 134217728 بت تحتوي 16777218 بايت (8 بت) أو 8388608 كلمة (16 بت) أو 128 ميغابت يمكن تنظيمها على هيئة مائة وثمان وعشرون كتلة كل منها عبارة عن 128 كيلو بايت (أنظر الشكل (17)). 17 شكل (17) التركيب الداخلي لوحدة ذاكرة فلاش من إنتاج شركة MICRON
المراجع1- MICRON flash memory data sheets.2- MICRON boot block flash memory technical note.3- INTEL flash memory data sheets.4- FAIRCHILD Semiconductors EEPROM data sheets.5- PHILIPS Semiconductors EEPROM and RAM data sheets.6- PHILIPS Semiconductors EEPROM product data.7- SST technical paper "Super Flash EEPROM Technology".8- "A Nonvolatile Memory Overview" By Jitu J. Makwana, Dr. Dieter K. Schroder.9- " What is Flash Memory?" Article by Intel Corporation.[/center][/b]أعد هذه المادة حسام الدين وقدمها لكم اسامة مطر

بسم الله الرحمن الرحيمالسادة الأفاضل/ السلام عليكم ورحمة الله وبركاتههذه نبذة عن خط BCI يتصل هذا الخط BLACK CURRENT INPOUT (BCI) تحديداً ببواعث ترانزيستورات خرج الألوان RGB حيث يمكنه الشعور بالتيار المار عبر هذه الترانزيستورات فكلما مر بهما أو بأحدهما تياراً أعلى انخفض جهد هذا الخط والذي هو عادة بحدود 5.5V فيعود الخط بهذا الإنخفاض إلى دائرة (CCC) CONTINUOUS CATHODE CALIBRATION (معايرة استمرارية الكاثودات) والتي بدوها تتحكم في جهد الموازنة OFFSET الذي يحمل إشارة RGB كل على حدة (جهد ال DC الذي يحمل إشارة الألوان RGB) فتقوم بخفض جهد الموازنة والذي بدوره يخفض جهد إنحياز RGB إي خفض جهد مستوى الأسود على قواعد ترانزيستورات الخرج مما يؤدي إلى تقليل التيار بهما مع بقاء تكبير الإشارة فتصبح الصورة أكثر بريقا. ...ً واستمرار هذا الانخفاض يعني استمرار نقص مستوى جهد الأسود فتسود الصورة إلى حد الإطفاء ..... والعكس كذلك فعند زيادة الجهد على هذا الخط والذي يدلل على أن تيار ترانزيستورات RGB منخفض تقوم دائرة CCC برفع جهد DC على قواعد RGB مما يؤدي إلى زيادة التكبير فترفع مستوى تكبير الإشارات ومواصلة الزيادة هنا يعني صورة باهته وإضاءة عالية.وهو موجود للحماية من انبعاث إلكتروني زائد من الكاثودات وكذلك يستخدم لإطفاء الشاشة في حالة وجود خلل في الانحراف الأفقي أو الرأسي.... قس هذا الجهد عند وجود مشكلة إضاءة عالية وصورة باهتة أو عدم وجود إضاءة وهو بحدود 5.5V فولت من ال RGB وحدود 2.5V على متكاملة اللون

بسم الله الرحمن الرحيمالسادة رواد و أعضاء ومشرفي القرية الكرام السلام عليكم ورحمة الله وبركاته
الدائرة المرفقة لجهاز NIKKO 25 بوصة و رقم الشاسيه 11AK19-08A العيب هو أن الجهاز أتى من ورشة ثانية وبه فرد إفقي زائد جداً مع نقص من أعلى وأسفل الشاشة ولا يوجد أي قياس خاطئ إلا أن الجهد مفقود عن BUK444 (WE) وبالفحص تبين أن المكثف C630 430Nf فارغ تماماً وتم استبداله فانفجرت IC الفيرتكل والذي حدث أنه عند وضع هذا المكثف ارتفع جهد تغذية الفيرتكل إلى 80 فولت وكذلك ارتفع جهد 15 فولت إلى أكثر من20 فولت أما جهد RGB 200V فهو يقيس 180V وعند رفع المكثف تعود الجهود لطبيعتها مع بقاء جهد RGB كما هو فهل من تفسير مقنع هنالك بعض التحوير في المخطط بالنسبة لرسم محول الإضاءة .... أما القيم فهي قريبة جداً.... والتصميم هو هو.. مع الأخذ بعين الإعتبار فصل الأرضي عند c618 كما هو في الجهاز والموقع للمخطط هو http://www.eserviceinfo.com/download.php?fileid=6130وبارك الله فيكم جميعاً
هكذا يقف الباحث
بسم الله الرحمن الرحيمالسادة أعضاء القرية وزوارها المحترمينالسلام عليكم ورحمة الله وبركاتهأتقدم إليكم بهذه الفكرة عن كيفية وقوف الباحث في بعض الأجهزة راجياً المولى عز وجل أن ينال هذا العمل إعجابكم !!! الرابط/ http://www.electvillage.com/up06/up/STAGE.rarأخيكم أسامة مطر